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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5497 个

  • 3206场效应管参数,3206mos,60v110a,​​KNH3206A-KIA MOS管

    KNH3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，低导通电阻RDS(on)6.5mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，具备用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力，最小化开关损耗，高效率低损耗，提供卓越的开关性能；在锂电池保护板、电源、DC-DC转换器中广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/6031.html         2025-11-12

  • 全桥整流电路,三相全桥整流电路图原理-KIA MOS管

    整流电路所带负载为具有反电动势的阻感负载。若将电路中的晶闸管替换为二极管，即相当于晶闸管触发角α=0o的情况。在此状态下，共阴极组的三个晶闸管中，阳极所接交流电压值最高的那个将首先导通。同时，共阳极组的三个晶闸管中，阴极所接交流电压值最低（即负...

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    www.kiaic.com/article/detail/6030.html         2025-11-12

  • ​mosfet的工作原理,mosfet结构原理图-KIA MOS管

    NMOS由n型半导体构成的源极和漏极，而基板（衬底）通常是p型半导体。工作原理：关闭状态（栅极电压低于阈值电压 Vth）当栅极电压（V_GS)低于阈值电压（V_th)时，栅极产生的电场不足以在基板和源极之间形成导电通道。

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    www.kiaic.com/article/detail/6029.html         2025-11-12

  • 电源抑制比,运放电源抑制比定义公式详解-KIA MOS管

    电源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了电路抑制任何电源变化传递到其输出信号的能力，通常以dB为单位进行测量，用来描述输出信号受电源影响。它最常与运算放大器(op amps)、DC-DC转换器、线性稳压器和低压差稳压器 (LDO) 的使用相关。

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    www.kiaic.com/article/detail/6028.html         2025-11-11

  • 源极漏极栅极详解,mos管源极漏极栅极区分-KIA MOS管

    源极（S）：在符号中始终表现为两条导线的交叉点，负责为导电沟道提供载流子（电子或空穴），是电流的输入或输出端。漏极（D）：在符号中为单独引线的一侧，作为电流的输出端或输入端，与源极构成电流通路。栅极（G）：通常独立于交叉点，是控制极，用于接收外...

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    www.kiaic.com/article/detail/6027.html         2025-11-11

  • ao3400场效应管参数,KIA3400场效应管代换-KIA MOS管

    ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频...

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    www.kiaic.com/article/detail/6026.html         2025-11-11

  • 2906场效应管,整流mos,​60v130a,KNH2906B参数-KIA MOS管

    KNH2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；采用KIA半导体尖端技术制造，具有?快速开关响应、低导通电阻、低栅极电荷，尤其在雪崩击穿特性方面表现卓越；100% 经雪崩击穿测试、dv/dt能...

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    www.kiaic.com/article/detail/6025.html         2025-11-10

  • pmos开关电路,电路图原理详解-KIA MOS管

    电源从左侧正常输入时：当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。

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    www.kiaic.com/article/detail/6024.html         2025-11-10

  • sot89,sot封装尺寸图,对照表-KIA MOS管

    SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。SOT-89封装尺寸规范：主体尺寸4.5mm（长）×2.45mm（宽）×1.55mm（高）引脚布局：3/5引脚配置，1.5mm标准间距。

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    www.kiaic.com/article/detail/6023.html         2025-11-10

  • 车载逆变器mos,500v20a,KNF7150A场效应管参数资料-KIA MOS管

    KNF7150A?场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，高效低耗，稳定...

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    www.kiaic.com/article/detail/6022.html         2025-11-07

  • 手机充电电路,工作原理图详解-KIA MOS管

    充电器从220V的交流电开始工作。一端通过一个4007型号的半波整流器，另一端则连接一个10欧姆的电阻，然后通过一个10微法拉的电容器进行滤波。这个10欧姆的电阻起到保护作用，如果充电器内部出现故障导致电流过大，这个电阻会被烧断，从而防止故障进一步扩大。

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    www.kiaic.com/article/detail/6021.html         2025-11-07

  • 二极管电平转换电路图,电路原理详解-KIA MOS管

    当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当输入端3.3V为高电平时，D1截止，输出端被R1上拉至1.8V，为高电平，实现两端都为高电平。

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    www.kiaic.com/article/detail/6020.html         2025-11-07

  • 电机控制mos,​250v50a场效应管,to220f封装,KNF3725A参数-KIA MOS管

    KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，稳定...

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    www.kiaic.com/article/detail/6019.html         2025-11-06

  • to263封装尺寸图,to263封装和to252封装区别-KIA MOS管

    TO263：尺寸约10.16mm×9.40mm×4.57mm，通常有5个引脚（3主2辅），支持复杂电路设计。

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    www.kiaic.com/article/detail/6018.html         2025-11-06

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